Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APT150GN120JDQ4
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5694667APT150GN120JDQ4 attēlsMicrosemi

APT150GN120JDQ4

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$55.86
10+
$52.573
30+
$49.287
100+
$46.987
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT150GN120JDQ4
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 215A 625W SOT227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 150A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOTOP®
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    625W
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    9.5nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP®
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    300µA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    215A
  • Konfigurācija
    Single
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Apraksts: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT14F100B

APT14F100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT14M100B

APT14M100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT14F100S

APT14F100S

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT14M100S

APT14M100S

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT14M120B

APT14M120B

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Apraksts: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT150GN60J

APT150GN60J

Apraksts: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Apraksts: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT150GN120J

APT150GN120J

Apraksts: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT15D100KG

APT15D100KG

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Apraksts: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Apraksts: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Apraksts: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT15D100BG

APT15D100BG

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Apraksts: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Apraksts: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu