1N6642US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$11.34

10+

$10.206

100+

$8.392

500+

$7.031

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N6642US
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Satur svina / RoHS neatbilstību
Datu lapas

1N6642US.pdf
ECAD modelis
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.2V @ 100mA
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

75V
Piegādātāja ierīču komplekts

D-5D
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

5ns
Iepakojums

Bulk
Iepakojums / lieta

SQ-MELF, D
Darba temperatūra - savienojums

-65°C ~ 175°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

6 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 75V 300mA Surface Mount D-5D
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

500nA @ 75V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

300mA
Ietilpība @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Šis ir ar “1N6642US” saistītie produkti.

1N6642US

Apraksts: .3A ULTRA FAST 100V

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N6643US

Apraksts: .3A ULTRA FAST 75V

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N6642UBCA

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6662

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6641US

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6641

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6663

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6642UB2R

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6640US

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6660

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6659

Apraksts: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO254AA

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6662US

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6642U

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6639US

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6651

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6643US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6643

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N6642

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N6642UBCC

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N6642UB2

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

1N6642US

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

1N6642US

1N6643US

1N6642UBCA

1N6662

1N6641US

1N6641

1N6663

1N6642UB2R

1N6640US

1N6660

1N6659

1N6662US

1N6642U

1N6639US

1N6651

1N6643US

1N6643

1N6642

1N6642UBCC

1N6642UB2

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda