Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N6626
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3986241N6626 attēlsMicrosemi

1N6626

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$10.567
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N6626
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    1N6626.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.35V @ 2A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    220V
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    30ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    A, Axial
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 220V 1.75A Through Hole
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    2µA @ 220V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.75A
  • Ietilpība @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N6626” saistītie produkti.
1N6624

1N6624

Apraksts: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6621US

1N6621US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6631

1N6631

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6625E3

1N6625E3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
1N6627

1N6627

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6627US

1N6627US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6629US

1N6629US

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6629

1N6629

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6623

1N6623

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6630

1N6630

Apraksts: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6625

1N6625

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6623US

1N6623US

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6624US

1N6624US

Apraksts: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6625US

1N6625US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6628US

1N6628US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6626US

1N6626US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6628

1N6628

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6622

1N6622

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6630US

1N6630US

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6622US

1N6622US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.