Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > MT47H512M8WTR-25E:C TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4473199

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$49.92
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MT47H512M8WTR-25E:C TR
  • Ražotājs / zīmols
    Micron Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    MT47H512M8WTR-25E:C TR.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - DDR2
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    63-FBGA (9x11.5)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    63-TFBGA
  • Citi vārdi
    MT47H512M8WTR-25E:C TR-ND
    MT47H512M8WTR-25E:CTR
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    4Gb (512M x 8)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - DDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (9x11.5)
  • Pulksteņa biežums
    400MHz
  • Bāzes daļas numurs
    MT47H512M8
  • Piekļuves laiks
    400ps

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MT47H512M8WTR-25E:C TR” saistītie produkti.
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16BT-5E:A

MT47H64M16BT-5E:A

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16HR-187E:H TR

MT47H64M16HR-187E:H TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Apraksts: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
MT47H64M16HR-187E:H

MT47H64M16HR-187E:H

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.