Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > MT41K512M8V00HWC1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6067030

MT41K512M8V00HWC1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$11.63
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MT41K512M8V00HWC1
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 4G PARALLEL DIE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    -
  • Spriegums - piegāde
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - DDR3L
  • Sērija
    -
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    4Gb (512M x 8)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 V:E

MT41K512M8RH-125 V:E

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 M:E TR

MT41K512M8RH-125 M:E TR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 M:E

MT41K512M8RH-125 M:E

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Apraksts: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Apraksts: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Ražotāji: Micron Technology
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu