Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > UT6J3TCR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5897921UT6J3TCR attēlsLAPIS Semiconductor

UT6J3TCR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.279
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UT6J3TCR
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    -20V PCH+PCH POWER MOSFET
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    HUML2020L8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-PowerUDFN
  • Citi vārdi
    UT6J3TCRTR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2000pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.5nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 P-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    -
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UT6J3TCR” saistītie produkti.
DMS3017SSD-13

DMS3017SSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
FDS4501H

FDS4501H

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NDS9925A

NDS9925A

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM20DUM08TG

APTM20DUM08TG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC60AM242G

APTC60AM242G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
DMC2041UFDB-13

DMC2041UFDB-13

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BUK9K35-60E,115

BUK9K35-60E,115

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
UT6JA2TCR

UT6JA2TCR

Apraksts: -30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UT6MA3TCR

UT6MA3TCR

Apraksts: 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BUK9K12-60EX

BUK9K12-60EX

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRF7303QTRPBF

IRF7303QTRPBF

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
UT6-12-40-F2

UT6-12-40-F2

Apraksts: THERMOELECT

Ražotāji: Laird Technologies - Thermal Products
Noliktavā
RFQ
AO8804L

AO8804L

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
UT6-7-30-F1

UT6-7-30-F1

Apraksts: THERMOELECT

Ražotāji: Laird Technologies - Thermal Products
Noliktavā
RFQ
UT6K3TCR

UT6K3TCR

Apraksts: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UT6-12-40-F1

UT6-12-40-F1

Apraksts: THERMOELECT

Ražotāji: Laird Technologies - Thermal Products
Noliktavā
RFQ
SP8J2TB

SP8J2TB

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FD6M043N08

FD6M043N08

Apraksts: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.