Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SP8M51FRATB
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3571339SP8M51FRATB attēlsLAPIS Semiconductor

SP8M51FRATB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.802
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SP8M51FRATB
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.SP8M51FRATB.pdf
    2.SP8M51FRATB.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SOP
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SP8M51FRATBTR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta), 2.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SP8M51FRATB” saistītie produkti.
SP8M3TB

SP8M3TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M5FRATB

SP8M5FRATB

Apraksts: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M10TB

SP8M10TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M10FU6TB

SP8M10FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M5TB

SP8M5TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M6TB

SP8M6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8K5TB

SP8K5TB

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

Apraksts: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M4FRATB

SP8M4FRATB

Apraksts: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M6FRATB

SP8M6FRATB

Apraksts: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M7FU6TB

SP8M7FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M70TB1

SP8M70TB1

Apraksts: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M21FRATB

SP8M21FRATB

Apraksts: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M51TB1

SP8M51TB1

Apraksts: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M7TB

SP8M7TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SP8M5FU6TB

SP8M5FU6TB

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.