Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RW1A013ZPT2R
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2315602RW1A013ZPT2R attēlsLAPIS Semiconductor

RW1A013ZPT2R

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.60
10+
$0.47
100+
$0.323
500+
$0.221
1000+
$0.166
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RW1A013ZPT2R
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RW1A013ZPT2R.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-WEMT
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    400mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-563, SOT-666
  • Citi vārdi
    RW1A013ZPT2RCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 12V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RW1A013ZPT2R” saistītie produkti.
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

Apraksts: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

Apraksts: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW10062A

RW10062A

Apraksts: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Ražotāji: Essentra Components
Noliktavā
RFQ
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

Apraksts: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

Apraksts: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

Apraksts: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

Apraksts: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

Apraksts: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

Apraksts: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Ražotāji: Ohmite
Noliktavā
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW10032A

RW10032A

Apraksts: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Ražotāji: Essentra Components
Noliktavā
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.