Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RUC002N05HZGT116
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6925394RUC002N05HZGT116 attēlsLAPIS Semiconductor

RUC002N05HZGT116

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.24
10+
$0.222
100+
$0.124
500+
$0.067
1000+
$0.045
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RUC002N05HZGT116
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    1.2V DRIVE NCH MOSFET
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RUC002N05HZGT116.pdf
    2.RUC002N05HZGT116.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SST3
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    350mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    RUC002N05HZGT116DKR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    25pF @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.2V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    50V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RUC002N05HZGT116” saistītie produkti.
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RUC0D331MLG

RUC0D331MLG

Apraksts: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Ražotāji: Nichicon
Noliktavā
RFQ
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
PSMN4R0-60YS,115

PSMN4R0-60YS,115

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
IRF7425PBF

IRF7425PBF

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RUC002N05T116

RUC002N05T116

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF3704STRR

IRF3704STRR

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
SSM6J216FE,LF

SSM6J216FE,LF

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
IXTQ140N10P

IXTQ140N10P

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
STH265N6F6-6AG

STH265N6F6-6AG

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
IRFIBC30G

IRFIBC30G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RUC0D271MLG

RUC0D271MLG

Apraksts: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Ražotāji: Nichicon
Noliktavā
RFQ
NTTFS4985NFTAG

NTTFS4985NFTAG

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPA80R360P7XKSA1

IPA80R360P7XKSA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

Apraksts: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
BUK763R4-30B,118

BUK763R4-30B,118

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
APT5012JN

APT5012JN

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.