Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RU1E002SPTCL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3992878RU1E002SPTCL attēlsLAPIS Semiconductor

RU1E002SPTCL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.058
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RU1E002SPTCL
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RU1E002SPTCL.pdf
    2.RU1E002SPTCL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    UMT3F
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    200mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SC-85
  • Citi vārdi
    RU1E002SPTCLTR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    30pF @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RU1E002SPTCL” saistītie produkti.
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Apraksts: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Apraksts: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Apraksts: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Apraksts: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Apraksts: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Apraksts: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Apraksts: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Apraksts: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Apraksts: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Apraksts: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Apraksts: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Apraksts: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Apraksts: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1C001UNTCL

RU1C001UNTCL

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Apraksts: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Apraksts: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.