Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RS1E240GNTB
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1589702RS1E240GNTB attēlsLAPIS Semiconductor

RS1E240GNTB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.01
10+
$0.883
100+
$0.681
500+
$0.505
1000+
$0.404
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS1E240GNTB
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RS1E240GNTB.pdf
    2.RS1E240GNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-HSOP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 24A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3W (Ta), 27.4W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Citi vārdi
    RS1E240GNTBCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    40 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 24A (Ta) 3W (Ta), 27.4W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    24A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS1E240GNTB” saistītie produkti.
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1G

RS1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.