Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RQ6E085BNTCR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1095768RQ6E085BNTCR attēlsLAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.384
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RQ6E085BNTCR
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-457
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.25W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SC-74, SOT-457
  • Citi vārdi
    RQ6E085BNTCRTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Tc)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RQ6E085BNTCR” saistītie produkti.
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Apraksts: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Apraksts: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Ražotāji: EPC
Noliktavā
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Apraksts: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

Apraksts: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AOD452

AOD452

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.