Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RQ3E070BNTB
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6554860

RQ3E070BNTB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.62
10+
$0.436
100+
$0.287
500+
$0.169
1000+
$0.13
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RQ3E070BNTB
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RQ3E070BNTB.pdf
    2.RQ3E070BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-HSMT (3.2x3)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 7A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerVDFN
  • Citi vārdi
    RQ3E070BNTBCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    40 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    410pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.9nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RQ3E070BNTB” saistītie produkti.
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.