Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RQ1E070RPTR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
421475RQ1E070RPTR attēlsLAPIS Semiconductor

RQ1E070RPTR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.30
10+
$1.153
100+
$0.911
500+
$0.707
1000+
$0.558
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RQ1E070RPTR
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RQ1E070RPTR.pdf
    2.RQ1E070RPTR.pdf
    3.RQ1E070RPTR.pdf
    4.RQ1E070RPTR.pdf
    5.RQ1E070RPTR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TSMT8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    550mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SMD, Flat Lead
  • Citi vārdi
    RQ1E070RPCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2700pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RQ1E070RPTR” saistītie produkti.
IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDS6680S

FDS6680S

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
STW30NM60D

STW30NM60D

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BUK6Y15-40PX

BUK6Y15-40PX

Apraksts: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
NTR4501NT1

NTR4501NT1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXTA90N055T2

IXTA90N055T2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BUK9Y6R0-60E,115

BUK9Y6R0-60E,115

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
AOTF10N50FD_001

AOTF10N50FD_001

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2N7002WKX-13

2N7002WKX-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
STB100NH02LT4

STB100NH02LT4

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.