Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RHU003N03T106
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1323552RHU003N03T106 attēlsLAPIS Semiconductor

RHU003N03T106

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RHU003N03T106
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RHU003N03T106.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    UMT3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 300mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    200mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    SC-70, SOT-323
  • Citi vārdi
    RHU003N03T106CT
  • Darbības temperatūra
    -
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    20pF @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RHU003N03T106” saistītie produkti.
RHU002N06T106

RHU002N06T106

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQPF630

FQPF630

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF5805TR

IRF5805TR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDM606P

FDM606P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

Apraksts: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF7403TR

IRF7403TR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFB7430PBF

IRFB7430PBF

Apraksts: MOSFET N CH 40V 195A TO220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Apraksts: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSS123_D87Z

BSS123_D87Z

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
TSM2328CX RFG

TSM2328CX RFG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TSM4425CS RLG

TSM4425CS RLG

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 8SOP

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
FDS8813NZ

FDS8813NZ

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STP400N4F6

STP400N4F6

Apraksts: MOSFET N-CH 40V TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.