Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RFN3BM6STL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1597305RFN3BM6STL attēlsLAPIS Semiconductor

RFN3BM6STL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.05
10+
$0.931
100+
$0.736
500+
$0.57
1000+
$0.45
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RFN3BM6STL
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RFN3BM6STL.pdf
    2.RFN3BM6STL.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.55V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    30ns
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    RFN3BM6STLCT
  • Darba temperatūra - savienojums
    150°C (Max)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RFN3BM6STL” saistītie produkti.
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE CPD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE CPD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE CPD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE CPD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Apraksts: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.