Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6024KNZ1C9
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
279508R6024KNZ1C9 attēlsLAPIS Semiconductor

R6024KNZ1C9

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.96
10+
$3.536
100+
$2.90
500+
$2.348
1000+
$1.98
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6024KNZ1C9
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    R6024KNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    245W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    R6024KNZ1C9TR
    R6024KNZ1C9TR-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    13 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 24A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6024KNZ1C9” saistītie produkti.
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.