Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6009ENJTL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1641672R6009ENJTL attēlsLAPIS Semiconductor

R6009ENJTL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.05
10+
$2.753
100+
$2.212
500+
$1.72
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6009ENJTL
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.R6009ENJTL.pdf
    2.R6009ENJTL.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    LPTS (D2PAK)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    535 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    40W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    R6009ENJTLCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    430pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6009ENJTL” saistītie produkti.
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6008-00

R6008-00

Apraksts: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Ražotāji: Harwin
Noliktavā
RFQ
R60100-1STR

R60100-1STR

Apraksts: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
R60100-1CR

R60100-1CR

Apraksts: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6008ANX

R6008ANX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R60100-1COR

R60100-1COR

Apraksts: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Apraksts: GASKET

Ražotāji: Hammond Manufacturing
Noliktavā
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

Apraksts: GASKET

Ražotāji: Hammond Manufacturing
Noliktavā
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

Apraksts: GASKET

Ražotāji: Hammond Manufacturing
Noliktavā
RFQ
R6009-00

R6009-00

Apraksts: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Ražotāji: Harwin
Noliktavā
RFQ
R6010-00

R6010-00

Apraksts: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Ražotāji: Harwin
Noliktavā
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6008FNJTL

R6008FNJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.