Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi > MP6Z13TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5617125MP6Z13TR attēlsLAPIS Semiconductor

MP6Z13TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MP6Z13TR
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    50V
  • Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic
    350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
  • Tranzistora tips
    NPN, PNP
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    MPT6
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-SMD, Flat Leads
  • Citi vārdi
    Q6052732
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - pāreja
    320MHz, 300MHz
  • Detalizēts apraksts
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 3A 320MHz, 300MHz 2W Surface Mount MPT6
  • DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 50mA, 3V
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    1µA (ICBO)
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    3A
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
MP6KE82A

MP6KE82A

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91A

MP6KE91A

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Apraksts: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Apraksts: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Apraksts: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Apraksts: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Apraksts: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu