Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPD80R1K4CEATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1539868IPD80R1K4CEATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4CEATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.48
10+
$1.311
100+
$1.036
500+
$0.804
1000+
$0.634
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPD80R1K4CEATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPD80R1K4CEATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 240µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO252-3
  • Sērija
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    63W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    IPD80R1K4CEATMA1CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    570pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPD80R1K4CEATMA1” saistītie produkti.
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.