Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPD12CN10NGBUMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1656768IPD12CN10NGBUMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGBUMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPD12CN10NGBUMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPD12CN10NGBUMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO252-3
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.4 mOhm @ 67A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    IPD12CN10N G
    IPD12CN10N G-ND
    IPD12CN10NGBUMA1TR
    SP000096476
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPD12CN10NGBUMA1” saistītie produkti.
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 59A

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Apraksts: LV POWER MOS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 45A

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.