Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPD053N06N3GBTMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5187973IPD053N06N3GBTMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD053N06N3GBTMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPD053N06N3GBTMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPD053N06N3GBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 58µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO252-3
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3 mOhm @ 90A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    115W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    IPD053N06N3 G
    IPD053N06N3 G-ND
    IPD053N06N3 GTR-ND
    IPD053N06N3GBTMA1TR
    SP000453318
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6600pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPD053N06N3GBTMA1” saistītie produkti.
IPD040N03LGBTMA1

IPD040N03LGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 90A

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD053N08N3GBTMA1

IPD053N08N3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD05N03LB G

IPD05N03LB G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD050N03LGBTMA1

IPD050N03LGBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.