Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB80N06S209ATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
203389IPB80N06S209ATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S209ATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB80N06S209ATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB80N06S209ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 125µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO263-3-2
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 50A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    190W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    IPB80N06S2-09
    IPB80N06S2-09-ND
    IPB80N06S209ATMA1TR
    SP000218741
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2360pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    55V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB80N06S209ATMA1” saistītie produkti.
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.