Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB70N10S312ATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2569773IPB70N10S312ATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB70N10S312ATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.08
10+
$1.879
100+
$1.51
500+
$1.174
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB70N10S312ATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB70N10S312ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO263-3-2
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.3 mOhm @ 70A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    IPB70N10S3-12INDKR
    IPB70N10S3-12INDKR-ND
    IPB70N10S312ATMA1DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4355pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB70N10S312ATMA1” saistītie produkti.
IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N12S3L12ATMA1

IPB70N12S3L12ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL_100+

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R660CFDATMA1

IPB65R660CFDATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6A TO263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N10S3L12ATMA1

IPB70N10S3L12ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R310CFDATMA1

IPB65R310CFDATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N04S3-07

IPB70N04S3-07

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB77N06S3-09

IPB77N06S3-09

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB77N06S212ATMA2

IPB77N06S212ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N04S406ATMA1

IPB70N04S406ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N12S311ATMA1

IPB70N12S311ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL_100+

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R280E6ATMA1

IPB65R280E6ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R420CFDATMA1

IPB65R420CFDATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R600C6ATMA1

IPB65R600C6ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB65R380C6ATMA1

IPB65R380C6ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB79CN10N G

IPB79CN10N G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.