Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB26CNE8N G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
527450IPB26CNE8N G attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB26CNE8N G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB26CNE8N G
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB26CNE8N G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 39µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D²PAK (TO-263AB)
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 35A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    71W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    IPB26CNE8N G-ND
    IPB26CNE8NG
    SP000292948
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2070pF @ 40V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    85V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 85V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB26CNE8N G” saistītie produkti.
IPB45N04S4L08ATMA1

IPB45N04S4L08ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB45N06S409ATMA1

IPB45N06S409ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB45N06S3L-13

IPB45N06S3L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB35N10S3L26ATMA1

IPB35N10S3L26ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB34CN10NGATMA1

IPB34CN10NGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB45N06S409ATMA2

IPB45N06S409ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB35N12S3L26ATMA1

IPB35N12S3L26ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL_100+

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB45N06S3-16

IPB45N06S3-16

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.