Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB180N03S4LH0ATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
430940IPB180N03S4LH0ATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N03S4LH0ATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$1.825
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB180N03S4LH0ATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO263-7-3
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.95 mOhm @ 100A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Citi vārdi
    IPB180N03S4L-H0
    IPB180N03S4L-H0-ND
    IPB180N03S4LH0ATMA1TR
    SP000555050
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    23000pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB180N03S4LH0ATMA1” saistītie produkti.
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH TO262-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.