Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB110N20N3LFATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3055112IPB110N20N3LFATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB110N20N3LFATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$4.546
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB110N20N3LFATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200 D2PAK-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB110N20N3LFATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.2V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO263-3
  • Sērija
    OptiMOS™ 3
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 88A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    IPB110N20N3LFATMA1-ND
    IPB110N20N3LFATMA1TR
    SP001503864
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    650pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    88A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB110N20N3LFATMA1” saistītie produkti.
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Ražotāji: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.