Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB080N06N G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2653711IPB080N06N G attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB080N06N G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.55
10+
$2.303
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB080N06N G
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB080N06N G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO263-3-2
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    214W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    IPB080N06NGINDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3500pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB080N06N G” saistītie produkti.
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Apraksts: MV POWER MOS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.