Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB039N10N3GATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
207237IPB039N10N3GATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.30
10+
$2.985
100+
$2.399
500+
$1.866
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB039N10N3GATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB039N10N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TO263-7
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    214W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Citi vārdi
    IPB039N10N3 GDKR
    IPB039N10N3 GDKR-ND
    IPB039N10N3GATMA1DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB039N10N3GATMA1” saistītie produkti.
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Ražotāji: Infineon Technologies
Noliktavā
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.