Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IPB023N04NGATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4227382IPB023N04NGATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB023N04NGATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IPB023N04NGATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IPB023N04NGATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 95µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D²PAK (TO-263AB)
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 90A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    167W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    IPB023N04N GCT
    IPB023N04N GCT-ND
    IPB023N04NG
    IPB023N04NGATMA1CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    10000pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    40V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 40V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IPB023N04NGATMA1” saistītie produkti.
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.