Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > BSC018NE2LSIATMA1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
189110BSC018NE2LSIATMA1 attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSC018NE2LSIATMA1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.66
10+
$1.469
100+
$1.161
500+
$0.90
1000+
$0.711
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BSC018NE2LSIATMA1
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BSC018NE2LSIATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PG-TDSON-8
  • Sērija
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 30A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Citi vārdi
    BSC018NE2LSIATMA1CT
    BSC018NE2LSICT
    BSC018NE2LSICT-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2500pF @ 12V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    25V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 25V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    29A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BSC018NE2LSIATMA1” saistītie produkti.
BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Apraksts: DIFFERENTIATED MOSFETS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Apraksts: DIFFERENTIATED MOSFETS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC022N03S

BSC022N03S

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC020N025S G

BSC020N025S G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Apraksts: DIFFERENTIATED MOSFETS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Apraksts: LV POWER MOS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC019N04NSGATMA1

BSC019N04NSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.