Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXTH1N200P3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1990829IXTH1N200P3 attēlsIXYS Corporation

IXTH1N200P3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.27
30+
$5.964
120+
$5.383
510+
$4.51
1020+
$3.928
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXTH1N200P3
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXTH1N200P3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 (IXTH)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 Ohm @ 500mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    646pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    23.5nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    2000V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXTH1N200P3” saistītie produkti.
IXTH16N50D2

IXTH16N50D2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH20N60

IXTH20N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH200N10T

IXTH200N10T

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

Apraksts: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH180N10T

IXTH180N10T

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 180A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH200N075T

IXTH200N075T

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH1N450HV

IXTH1N450HV

Apraksts: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH1N100

IXTH1N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH20N50D

IXTH20N50D

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH20P50P

IXTH20P50P

Apraksts: MOSFET P-CH 500V 20A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 16A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 16A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH16P60P

IXTH16P60P

Apraksts: MOSFET P-CH 600V 16A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH16P20

IXTH16P20

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH20N65X

IXTH20N65X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

Apraksts: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH182N055T

IXTH182N055T

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH180N085T

IXTH180N085T

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 180A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTH200N085T

IXTH200N085T

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 200A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.