Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXTA1N100P
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5941986IXTA1N100P attēlsIXYS Corporation

IXTA1N100P

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
50+
$1.811
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXTA1N100P
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXTA1N100P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263 (IXTA)
  • Sērija
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 Ohm @ 500mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    50W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    331pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1000V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1000V 1A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXTA1N100P” saistītie produkti.
IXTA180N085T

IXTA180N085T

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1N120P

IXTA1N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

Apraksts: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 200A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA180N085T7

IXTA180N085T7

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1N80

IXTA1N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1N100

IXTA1N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA180N10T

IXTA180N10T

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

Apraksts: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA170N075T2

IXTA170N075T2

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 170A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA18P10T

IXTA18P10T

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA180N055T

IXTA180N055T

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.