Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXTA06N120P
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1095312IXTA06N120P attēlsIXYS Corporation

IXTA06N120P

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.61
50+
$2.898
100+
$2.64
500+
$2.138
1000+
$1.803
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXTA06N120P
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXTA06N120P.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263 (IXTA)
  • Sērija
    PolarVHV™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32 Ohm @ 300mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    42W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    617329
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    270pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    13.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 600mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    600mA (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXTA06N120P” saistītie produkti.
IXTA10N60P

IXTA10N60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA10P50P

IXTA10P50P

Apraksts: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA02N450HV

IXTA02N450HV

Apraksts: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA110N055T

IXTA110N055T

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA08N120P

IXTA08N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

Apraksts: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA102N15T

IXTA102N15T

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA05N100

IXTA05N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA02N250

IXTA02N250

Apraksts: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV

Apraksts: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA110N055T2

IXTA110N055T2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA08N100P

IXTA08N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXT-1-1N100S1-TR

IXT-1-1N100S1-TR

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA110N055P

IXTA110N055P

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV

Apraksts: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.