Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > IXGK82N120A3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3051555IXGK82N120A3 attēlsIXYS Corporation

IXGK82N120A3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
25+
$18.171
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXGK82N120A3
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 260A 1250W TO264
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXGK82N120A3.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.05V @ 15V, 82A
  • Testa stāvoklis
    600V, 80A, 2 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    34ns/265ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    5.5mJ (on), 12.5mJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-264 (IXGK)
  • Sērija
    GenX3™
  • Jauda - maks
    1250W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-264-3, TO-264AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    PT
  • Vārtu iekasēšana
    340nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT PT 1200V 260A 1250W Through Hole TO-264 (IXGK)
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    580A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    260A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXGK82N120A3” saistītie produkti.
IXGL50N60BD1

IXGL50N60BD1

Apraksts: IGBT 600V ISOPLUS264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK75N250

IXGK75N250

Apraksts: IGBT 2500V 170A 780W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGM17N100A

IXGM17N100A

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGL75N250

IXGL75N250

Apraksts: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK55N120A3H1

IXGK55N120A3H1

Apraksts: IGBT 1200V 125A 460W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK64N60B3D1

IXGK64N60B3D1

Apraksts: IGBT 600V 460W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK60N60

IXGK60N60

Apraksts: IGBT 600V 75A 300W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK72N60C3H1

IXGK72N60C3H1

Apraksts: IGBT TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK72N60A3H1

IXGK72N60A3H1

Apraksts: IGBT 600V 75A 540W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK60N60C2D1

IXGK60N60C2D1

Apraksts: IGBT 600V 75A 480W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGM30N60

IXGM30N60

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK60N60B2D1

IXGK60N60B2D1

Apraksts: IGBT 600V 75A 500W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

Apraksts: IGBT 1200V 230A 1250W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGM40N60

IXGM40N60

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1

Apraksts: IGBT 600V 75A 540W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGK50N90B2D1

IXGK50N90B2D1

Apraksts: IGBT 900V 75A 400W TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGL200N60B3

IXGL200N60B3

Apraksts: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.