Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXFV18N60P
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
929

IXFV18N60P

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXFV18N60P
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXFV18N60P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PLUS220
  • Sērija
    HiPerFET™, PolarHT™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 500mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    360W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3, Short Tab
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2500pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXFV18N60P” saistītie produkti.
IXFV12N80P

IXFV12N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV26N50P

IXFV26N50P

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV18N60PS

IXFV18N60PS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV15N100PS

IXFV15N100PS

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV12N90PS

IXFV12N90PS

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV20N80P

IXFV20N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV15N100P

IXFV15N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV18N90PS

IXFV18N90PS

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV12N80PS

IXFV12N80PS

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV22N50P

IXFV22N50P

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV12N90P

IXFV12N90P

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV20N80PS

IXFV20N80PS

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV14N80P

IXFV14N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV16N80PS

IXFV16N80PS

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV16N80P

IXFV16N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV22N50PS

IXFV22N50PS

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV22N60P

IXFV22N60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV14N80PS

IXFV14N80PS

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV22N60PS

IXFV22N60PS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFV18N90P

IXFV18N90P

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.