Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXFN50N120SK
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3763726IXFN50N120SK attēlsIXYS Corporation

IXFN50N120SK

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10+
$68.614
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXFN50N120SK
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    IXFN50N120SK.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    +20V, -5V
  • Tehnoloģija
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227B
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 40A, 20V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    -
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1895pF @ 1000V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    115nC @ 20V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    20V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXFN50N120SK” saistītie produkti.
IXFN44N80

IXFN44N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN60N60

IXFN60N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN44N80P

IXFN44N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN52N90P

IXFN52N90P

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 43A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN48N50U2

IXFN48N50U2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN48N50

IXFN48N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN48N55

IXFN48N55

Apraksts: MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN48N60P

IXFN48N60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN520N075T2

IXFN520N075T2

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN60N80P

IXFN60N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN55N50F

IXFN55N50F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

Ražotāji: IXYS RF
Noliktavā
RFQ
IXFN48N50U3

IXFN48N50U3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN56N90P

IXFN56N90P

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN50N50

IXFN50N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN48N50Q

IXFN48N50Q

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN55N50

IXFN55N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.