Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXFN360N10T
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5667020IXFN360N10T attēlsIXYS Corporation

IXFN360N10T

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$20.99
10+
$19.08
30+
$17.649
100+
$16.218
250+
$14.787
500+
$13.833
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXFN360N10T
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXFN360N10T.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227B
  • Sērija
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 180A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    830W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    36000pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    505nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    360A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXFN360N10T” saistītie produkti.
IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Apraksts: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Ražotāji: IXYS
Noliktavā
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Apraksts: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Apraksts: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Apraksts: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN39N90

IXFN39N90

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN400N15X3

IXFN400N15X3

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.