Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXFN26N120P
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4269286IXFN26N120P attēlsIXYS Corporation

IXFN26N120P

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10+
$39.098
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXFN26N120P
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXFN26N120P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227B
  • Sērija
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 13A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    695W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    14000pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    225nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 23A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXFN26N120P” saistītie produkti.
IXFN27N80

IXFN27N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Apraksts: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Apraksts: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Ražotāji: IXYS RF
Noliktavā
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Apraksts: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN26N100P

IXFN26N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Apraksts: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Apraksts: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.