Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > IXFN180N10
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3898141IXFN180N10 attēlsIXYS Corporation

IXFN180N10

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$27.14
10+
$25.105
30+
$23.069
100+
$21.441
250+
$19.677
500+
$18.727
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXFN180N10
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXFN180N10.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227B
  • Sērija
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 500mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    600W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Citi vārdi
    479462
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    9100pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    360nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 180A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXFN180N10” saistītie produkti.
IXFN150N15

IXFN150N15

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN150N10

IXFN150N10

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN20N120

IXFN20N120

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Apraksts: FET N-CHANNEL

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN210N20P

IXFN210N20P

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Apraksts: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Apraksts: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN170N10

IXFN170N10

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN150N65X2

IXFN150N65X2

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN160N30T

IXFN160N30T

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Ražotāji: IXYS
Noliktavā
RFQ
IXFN180N20

IXFN180N20

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN170N30P

IXFN170N30P

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.