Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > IXER35N120D1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4147660IXER35N120D1 attēlsIXYS Corporation

IXER35N120D1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXER35N120D1
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 50A 200W TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXER35N120D1.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 35A
  • Testa stāvoklis
    600V, 35A, 39 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -
  • Pārslēgšanas enerģija
    5.4mJ (on), 2.6mJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOPLUS247™
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    80ns
  • Jauda - maks
    200W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    ISOPLUS247™
  • Citi vārdi
    Q1370333
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    150nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    50A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXER35N120D1” saistītie produkti.
IXEH40N120

IXEH40N120

Apraksts: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRGP6640DPBF

IRGP6640DPBF

Apraksts: IGBT 600V 53A 200W TO247AC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXEL40N400

IXEL40N400

Apraksts: IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXE611S1T/R

IXE611S1T/R

Apraksts: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRG4BC20FD

IRG4BC20FD

Apraksts: IGBT 600V 16A 60W TO220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRG7CH73UED-R

IRG7CH73UED-R

Apraksts: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXE611P1

IXE611P1

Apraksts: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Apraksts: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXEN60N120D1

IXEN60N120D1

Apraksts: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXEN60N120

IXEN60N120

Apraksts: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXEH25N120D1

IXEH25N120D1

Apraksts: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RGT16NS65DGTL

RGT16NS65DGTL

Apraksts: IGBT 650V 16A 94W TO-263S

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXEH40N120D1

IXEH40N120D1

Apraksts: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXXX100N60C3H1

IXXX100N60C3H1

Apraksts: IGBT 600V 170A 695W PLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXE611S1

IXE611S1

Apraksts: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

Apraksts: IGBT 650V 70A 234W TO-247N

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SGS10N60RUFDTU

SGS10N60RUFDTU

Apraksts: IGBT 600V 16A 55W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
IXEH25N120

IXEH25N120

Apraksts: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXER60N120

IXER60N120

Apraksts: IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.