Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > IXDH35N60BD1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3650942IXDH35N60BD1 attēlsIXYS Corporation

IXDH35N60BD1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
30+
$6.866
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXDH35N60BD1
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 600V 60A 250W TO247AD
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXDH35N60BD1.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    600V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 35A
  • Testa stāvoklis
    300V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -
  • Pārslēgšanas enerģija
    1.6mJ (on), 800µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247AD (IXDH)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    40ns
  • Jauda - maks
    250W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    120nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 600V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXDH)
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    70A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    60A
  • Bāzes daļas numurs
    IXD*35N60

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXDH35N60BD1” saistītie produkti.
IXDI409CI

IXDI409CI

Apraksts: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI402SIA

IXDI402SIA

Apraksts: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI404SIA

IXDI404SIA

Apraksts: IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI402SI

IXDI402SI

Apraksts: IC MOSFET DRIVER LS 2A 8SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDH20N120D1

IXDH20N120D1

Apraksts: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDF604SIA

IXDF604SIA

Apraksts: IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
IXDH35N60B

IXDH35N60B

Apraksts: IGBT 600V 60A 250W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI404SI

IXDI404SI

Apraksts: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDF604SIATR

IXDF604SIATR

Apraksts: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
IXDI402PI

IXDI402PI

Apraksts: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI409PI

IXDI409PI

Apraksts: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDF604SITR

IXDF604SITR

Apraksts: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
IXDH20N120

IXDH20N120

Apraksts: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDF604SI

IXDF604SI

Apraksts: IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
IXDH30N120D1

IXDH30N120D1

Apraksts: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI404PI

IXDI404PI

Apraksts: IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI409SI

IXDI409SI

Apraksts: IC MOSFET DRVR LS 9A 8-SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDF604PI

IXDF604PI

Apraksts: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
IXDH30N120

IXDH30N120

Apraksts: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXDI404SI-16

IXDI404SI-16

Apraksts: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.