Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > IXBR42N170
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2119537IXBR42N170 attēlsIXYS Corporation

IXBR42N170

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
30+
$32.844
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    IXBR42N170
  • Ražotājs / zīmols
    IXYS / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    IXBR42N170.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1700V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 42A
  • Testa stāvoklis
    -
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -
  • Pārslēgšanas enerģija
    -
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOPLUS247™
  • Sērija
    BIMOSFET™
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    1.32µs
  • Jauda - maks
    200W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    ISOPLUS247™
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    -
  • Vārtu iekasēšana
    188nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    300A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    57A
  • Bāzes daļas numurs
    IXB*42N170

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “IXBR42N170” saistītie produkti.
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Apraksts: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Apraksts: THYRISTOR RADIAL

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Apraksts: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-08

IXBOD2-08

Apraksts: BREAKOVER DIODE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Apraksts: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-10

IXBOD2-10

Apraksts: BREAKOVER DIODE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

Apraksts: BREAKOVER DIODE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Apraksts: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Apraksts: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Apraksts: IGBT

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Apraksts: THYRISTOR RADIAL

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

Apraksts: BREAKOVER DIODE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

Apraksts: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-09

IXBOD2-09

Apraksts: BREAKOVER DIODE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

Apraksts: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Apraksts: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Apraksts: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Apraksts: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Apraksts: THYRISTOR RADIAL

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Apraksts: BREAKOVER DIODE

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.