Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > GSID100A120T2C1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2393130

GSID100A120T2C1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6+
$134.922
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GSID100A120T2C1
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    SILICON IGBT MODULES
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GSID100A120T2C1.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Module
  • Sērija
    Amp+™
  • Jauda - maks
    640W
  • Iepakojums / lieta
    Module
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C
  • NTC termistors
    Yes
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    13.7nF @ 25V
  • Ievade
    Three Phase Bridge Rectifier
  • IGBT tips
    -
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    1mA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    200A
  • Konfigurācija
    Three Phase Inverter

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GSID100A120T2C1” saistītie produkti.
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Apraksts: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSIB6A40-E3/45

GSIB6A40-E3/45

Apraksts: DIODE 6A 400V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 170A

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Apraksts: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSIB6A20-E3/45

GSIB6A20-E3/45

Apraksts: BRIDGE RECT 200V 2.8A GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

Apraksts: BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Apraksts: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSIB6A20N-M3/45

GSIB6A20N-M3/45

Apraksts: BRIDGE RECT 6A 200V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 285A

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 430A

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Apraksts: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Apraksts: IGBT MODULE 1200V 335A

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.