Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > GPA015A120MN-ND
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4545368GPA015A120MN-ND attēlsGlobal Power Technologies Group

GPA015A120MN-ND

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$1.463
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GPA015A120MN-ND
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GPA015A120MN-ND.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 15A
  • Testa stāvoklis
    600V, 15A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    25ns/166ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    1.61mJ (on), 530µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3PN
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    320ns
  • Jauda - maks
    212W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Citi vārdi
    1560-1215-1
    1560-1215-1-ND
    1560-1215-5
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT and Trench
  • Vārtu iekasēšana
    210nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT and Trench 1200V 30A 212W Through Hole TO-3PN
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    45A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    30A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GPA015A120MN-ND” saistītie produkti.
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Apraksts: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Apraksts: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Ražotāji: Bergquist
Noliktavā
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Apraksts: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Apraksts: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Apraksts: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Apraksts: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Apraksts: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Apraksts: DIODE GPP 8A D2PAK

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Apraksts: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Apraksts: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Apraksts: DIODE GPP 8A D2PAK

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Apraksts: DIODE GPP 8A TO220AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Apraksts: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Apraksts: DIODE GPP 8A TO220AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Apraksts: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Apraksts: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.