Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > GP2M004A060FG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4734672GP2M004A060FG attēlsGlobal Power Technologies Group

GP2M004A060FG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GP2M004A060FG
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GP2M004A060FG.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220F
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    30.4W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    545pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 4A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GP2M004A060FG” saistītie produkti.
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M005A050HG

GP2M005A050HG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2L26

GP2L26

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.