Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > GP1M018A020HG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4983009GP1M018A020HG attēlsGlobal Power Technologies Group

GP1M018A020HG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2000+
$0.823
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GP1M018A020HG
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 18A TO220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GP1M018A020HG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 9A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    94W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    1560-1189-1
    1560-1189-1-ND
    1560-1189-5
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GP1M018A020HG” saistītie produkti.
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Apraksts: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Ražotāji: Socle Technology Corporation
Noliktavā
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Apraksts: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Apraksts: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Ražotāji: Socle Technology Corporation
Noliktavā
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.