Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > GP1M010A080N
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3152786GP1M010A080N attēlsGlobal Power Technologies Group

GP1M010A080N

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GP1M010A080N
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GP1M010A080N.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3PN
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    312W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2336pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    900V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GP1M010A080N” saistītie produkti.
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.