Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > GP1M007A090FH

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2770793

GP1M007A090FH attēls

Global Power Technologies Group

GP1M007A090FH

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

GP1M007A090FH
Ražotājs / zīmols

SemiQ
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

GP1M007A090FH.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-220F
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

40.3W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-220-3 Full Pack
Citi vārdi

1560-1164-1
1560-1164-1-ND
1560-1164-5
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1969pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

49nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

900V
Detalizēts apraksts

N-Channel 900V 7A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “GP1M007A090FH” saistītie produkti.

GP1M008A050FG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M005A050PH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M006A065FH

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M007A090H

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A025HG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A050PG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M005A050HS

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A025PG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A050HG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M006A070FH

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M006A070F

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M006A065PH

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M005A050H

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A025FG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M006A065F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M008A080FH

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.