Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > GP1M003A040PG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6231140GP1M003A040PG attēlsGlobal Power Technologies Group

GP1M003A040PG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GP1M003A040PG
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GP1M003A040PG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    I-PAK
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    30W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    210pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    3.7nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    400V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GP1M003A040PG” saistītie produkti.
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Apraksts: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1L57

GP1L57

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Apraksts: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

Apraksts: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Apraksts: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Apraksts: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Apraksts: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.